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Resumen
En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito.
Texto completo
Document information
Published on 29/03/18
Accepted on 29/03/18
Submitted on 29/03/18
Volume 9, Issue 1, 2018
DOI: 10.29019/enfoqueute.v9n1.231
Licence: CC BY-NC-SA license
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