Cardenas Delgado 2021a - Revision history

Rimni at 15:03, 14 December 2021

2021-12-14T15:03:01Z

Rimni at 12:59, 7 April 2021

2021-04-07T12:59:07Z

Rimni at 11:56, 25 March 2021

2021-03-25T11:56:13Z

Rimni at 11:54, 25 March 2021

2021-03-25T11:54:59Z

Rimni: /* 6. Conclusiones */

2021-03-25T11:51:27Z

‎6. Conclusiones

Rimni at 11:48, 25 March 2021

2021-03-25T11:48:18Z

Show changes

Rimni at 11:42, 25 March 2021

2021-03-25T11:42:24Z

Rimni at 11:41, 25 March 2021

2021-03-25T11:41:46Z

Rimni: /* Referencias */

2021-03-25T11:40:57Z

‎Referencias

Rimni at 11:40, 25 March 2021

2021-03-25T11:40:29Z

@@ Line 114: / Line 114: @@
 Se presentan a continuación los resultados de experimentación, en la cual se sometieron a prueba dispositivos BJT y MOSFET.
-===4.1. Pruebas con BC548 (BJT-npn)===
+===4.1 Pruebas con BC548 (BJT-npn)===
 En la [[#img-1|Figura 1]], se muestra el diseño de circuito de prueba para este modelo de transistor en polarización fija, usando como carga un motor de 12 voltios en corriente directa (12 VDC). En la [[#tab-2|Tabla 2]], se pueden observar los valores de referencia que da el fabricante [27] y en la [[#tab-3|Tabla 3]] se muestran los resultados que obtuvimos en las pruebas experimentales, para los diferentes niveles de carga a los que se llevó el transistor, donde Vs es el voltaje asignado a la fuente para cada nivel de carga. La temperatura ambiente fue controlada en todas las pruebas a 25ºC con un error experimental de control de 1ºC.
@@ Line 259: / Line 259: @@
 |}
-===4.2. BC369 (BJT – pnp)===
+===4.2 BC369 (BJT – pnp)===
 En esta ocasión, utilizamos un BJT – pnp, para verificar si el comportamiento térmico conforme aumentan los niveles de carga presenta variación por efectos de la configuración electrónica en las barreras de polarización del transistor. En la [[#img-4|Figura 4]] se presenta el circuito para este transistor, con una carga de un motor de 12 VDC. En la [[#tab-4|Tabla 4]], se pueden observar los valores de referencia que da el fabricante [28] y en la [[#tab-5|Tabla 5]] se muestran los resultados que obtuvimos en las pruebas experimentales, para los diferentes niveles de carga a los que se llevó este transistor, donde Vs es el voltaje asignado a la fuente para cada nivel de carga. La temperatura ambiente fue controlada en todas las pruebas a 25ºC con un error experimental de control de 1ºC.
@@ Line 395: / Line 395: @@
 |}
-===4.3. P2N2222A (BJT – npn)===
+===4.3 P2N2222A (BJT – npn)===
 Con la intención de rectificar si las no-linealidades del comportamiento térmico con incremento de carga corresponden específicamente al modelo ya presentado de npn (BC548), o si pudiera tratarse de una generalidad cualitativa de los BJT – npn; se estudió adicionalmente el bien conocido modelo P2N2222A. En la [[#img-7|Figura 7]] se presenta el circuito para el transistor P2N2222A, el cual es frecuentemente utilizado para fines académicos y de diseño de equipos electrónicos. En el colector se colocan como cargas dos motores de 12 VDC en paralelo, con la intención de aprovechar la capacidad extra que tiene este transistor en corriente de colector (carga), sobre el BC548, tratando de llevarlo a los más altos niveles de carga mientras aún se encuentra dentro de parámetros comunes de operación. Al ser motores idénticos cumplen el criterio de balance como circuito simétrico [29] (el transistor los ve como carga única). En la [[#tab-6|Tabla 6]], se muestran los valores de referencia del fabricante [30] y en la [[#tab-7|Tabla 7]] se muestra los resultados que se han obtenido en esta prueba.
@@ Line 518: / Line 518: @@
 |}
-===4.4. IRF530N (MOSFET – canal n)===
+===4.4 IRF530N (MOSFET – canal n)===
 En la [[#img-10|Figura 10]] se presenta el circuito utilizado para pruebas con el MOSFET de canal n IRF530N. Se utiliza como carga un motor 12 VDC. Se utiliza una metodología de pruebas similar a la vista con los BJTs, donde en la [[#tab-8|Tabla 8]], se muestran los valores de referencia del fabricante [31] y en la [[#tab-9|Tabla 9]] se aprecian los resultados que se obtienen como promedio estadístico de las experimentaciones controladas.
@@ Line 644: / Line 644: @@
 |}
-===4.5. IRF9530 (MOSFET – canal p)===
+===4.5 IRF9530 (MOSFET – canal p)===
 En la [[#img-13|Figura 13]], se presenta el circuito utilizado para pruebas con el MOSFET de canal p IRF9530, con una carga de dos motores en paralelo de 24 VDC, en forma análoga comparativamente a las pruebas realizadas con el BJT P2N2222A. En la [[#tab-10|Tabla 10]], se muestran los datos de referencia del fabricante [32] y en la [[#tab-11|Tabla 11]] se aprecian los resultados que se consiguen como promedio estadístico de las experimentaciones controladas.

@@ Line 374: / Line 374: @@
 En la [[#tab-5|Tabla 5]] llama la atención que el comportamiento térmico a baja carga es mucho más lineal que el comportamiento del BC548. Mientras que en el transistor npn BC548 parece existir un rango de incremento máximo en las pérdidas (y por tanto calentamiento) por unidad de carga portada por el transistor en su colector, para luego llegar a la estabilidad térmica de sus altos niveles de carga; el transistor pnp BC369 muestra una caracterización mucho más lineal conforme va aumentando la carga en su colector, hasta llegar a la estabilidad térmica de sus altos niveles de carga. También es notable que este transistor pnp se calentó un poco más que el npn; pero es de esperarse en vista de que manejó cargas superiores al npn.
-En [[#img-5|Figura 5]] se puede apreciar el comportamiento térmico del BJT BC369 pnp contra su nivel de carga en corriente de colector, donde es apreciable que la linealidad del incremento térmico, aunque no es absoluta, que es muy superior a la encontrada en la experimentación con el BC548 npn.
+En la [[#img-5|Figura 5]] se puede apreciar el comportamiento térmico del BJT BC369 pnp contra su nivel de carga en corriente de colector, donde es apreciable que la linealidad del incremento térmico, aunque no es absoluta, que es muy superior a la encontrada en la experimentación con el BC548 npn.
 <div id='img-5'></div>

@@ Line 154: / Line 154: @@
 |  style="vertical-align: top;"|625 mW
 |-style="text-align:center"
-|  style="vertical-align: top;"|<math>\beta</math>
+|  style="vertical-align: top;"|&#x03b2;
 |  style="vertical-align: top;"|Ganancia de corriente DC
 |  style="vertical-align: top;"|110
@@ Line 164: / Line 164: @@
-<div class="center" style="font-size: 75%;">'''Tabla 3'''. Resultados experimentales de las pruebas de carga con el BJT-npn BC548.</div>
+<div class="center" style="font-size: 75%;">'''Tabla 3'''. Resultados experimentales de las pruebas de carga con el BJT-npn BC548</div>
 <div id='tab-1'></div>

@@ Line 299: / Line 299: @@
 |  style="vertical-align: top;"|625 mW
 |-style="text-align:center"
-|  style="vertical-align: top;"|<span style="text-align: center; font-size: 75%;">&#x03b2;</span>
+|  style="vertical-align: top;"|&#x03b2;
 |  style="vertical-align: top;text-align:left;"|Ganancia de corriente DC
 |  style="vertical-align: top;"|50

@@ Line 919: / Line 919: @@
 ==6. Conclusiones==
-Luego del análisis de datos obtenidos, se puede destacar que los transistores BJT, en polarización fija son dispositivos bastante inestables térmicamente. Si bien, es conocido que los BJT tienden a incrementar su temperatura cuando IC aumenta, como efecto del incremento de IB con el factor de ganancia de corriente DC (β), donde esta variable (IB) está sujeta a una resistividad en la base, se puede intuir que esta resistividad no es para nada óhmica, de hecho, parece tener una no linealidad muy alta. Este efecto es más marcado y menos predecible en los BJT tipo npn, en los cuales la mejor aproximación de una caracterización térmica se obtiene con un modelo cúbico de regresión para la Tc con respecto de la IC, mientras que para los de tipo pnp, se logra modelar cuadráticamente, con una función más simple e incluso con resultados de mayor exactitud respecto de los valores obtenidos experimentalmente. Los BJT superaron las temperaturas límites proporcionadas por las hojas del fabricante cuando se usaron en polarización fija por largo tiempo. Esto corrobora claramente que el autocalentamiento y la termoconducción son fuertes limitantes en la operación de los transistores BJT [33], aun cuando los mismos se encuentren dentro de sus límites de carga en operación nominal. En los MOSFET, no fueron evidenciados tales problemas. Si bien hoy en día las tendencias constructivas en la tecnología MOSFET han comenzado a reemplazar el dióxido de silicio (SiO<sub>2</sub>) por materiales de alta permitividad eléctrica (high- <math>{\kappa }_{diel}</math> ) como el dióxido de hafnio (HfO<sub>2</sub>) y otros compuestos como HfSiON [34], esta tendencia responde a la intención de conseguir transistores cada vez más pequeños, sin embargo, su caracterización y comportamiento, es similar a los transistores ya conocidos. La conclusión más viable es, por tanto, que si se requiere tecnología de transistores en zonas con atmosferas explosivas, se use hasta donde sea posible tecnología MOSFET, y de no ser posible, el diseño debe incluir la caracterización térmica de los dispositivos específicos a usar, para conocer su temperatura de carcasa o encapsulado real, la cual debe ser inferior a la clasificación de temperaturas de la zona. Esto debe considerarse en adición a la probabilidad que tenga el dispositivo de emitir por arco, la energía mínima de activación.
+Luego del análisis de datos obtenidos, se puede destacar que los transistores BJT, en polarización fija son dispositivos bastante inestables térmicamente. Si bien, es conocido que los BJT tienden a incrementar su temperatura cuando IC aumenta, como efecto del incremento de IB con el factor de ganancia de corriente DC (β), donde esta variable (IB) está sujeta a una resistividad en la base, se puede intuir que esta resistividad no es para nada óhmica, de hecho, parece tener una no linealidad muy alta. Este efecto es más marcado y menos predecible en los BJT tipo npn, en los cuales la mejor aproximación de una caracterización térmica se obtiene con un modelo cúbico de regresión para la Tc con respecto de la IC, mientras que para los de tipo pnp, se logra modelar cuadráticamente, con una función más simple e incluso con resultados de mayor exactitud respecto de los valores obtenidos experimentalmente. Los BJT superaron las temperaturas límites proporcionadas por las hojas del fabricante cuando se usaron en polarización fija por largo tiempo. Esto corrobora claramente que el autocalentamiento y la termoconducción son fuertes limitantes en la operación de los transistores BJT [33], aun cuando los mismos se encuentren dentro de sus límites de carga en operación nominal. En los MOSFET, no fueron evidenciados tales problemas. Si bien hoy en día las tendencias constructivas en la tecnología MOSFET han comenzado a reemplazar el dióxido de silicio (SiO<sub>2</sub>) por materiales de alta permitividad eléctrica (high- <math>{\kappa }_{diel}</math>) como el dióxido de hafnio (HfO<sub>2</sub>) y otros compuestos como HfSiON [34], esta tendencia responde a la intención de conseguir transistores cada vez más pequeños, sin embargo, su caracterización y comportamiento, es similar a los transistores ya conocidos. La conclusión más viable es, por tanto, que si se requiere tecnología de transistores en zonas con atmosferas explosivas, se use hasta donde sea posible tecnología MOSFET, y de no ser posible, el diseño debe incluir la caracterización térmica de los dispositivos específicos a usar, para conocer su temperatura de carcasa o encapsulado real, la cual debe ser inferior a la clasificación de temperaturas de la zona. Esto debe considerarse en adición a la probabilidad que tenga el dispositivo de emitir por arco, la energía mínima de activación.
 ==Agradecimientos==

@@ Line 930: / Line 930: @@
 {| style="width: 100%;"
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[1]
+|  style="vertical-align: top;"|[1] Eckhoff R.K. Design of electrical equipment for areas containing combustible dust: Why dust standards cannot be extensively harmonised with gas standards. Journal of Loss Prevention in the Process Industrie, 13(3-5):201-208, 2000.
-|  style="vertical-align: top;"|Eckhoff R.K. Design of electrical equipment for areas containing combustible dust: Why dust standards cannot be extensively harmonised with gas standards. Journal of Loss Prevention in the Process Industrie, 13(3-5):201-208, 2000.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[2]
+|  style="vertical-align: top;"|[2] Buschart R., Kuczka J. Electrical safety in hazardous (classified) class I locations. Record of Conference Papers Industry Applications Society 39th Annual Petroleum and Chemical Industry Conference, 1:293-299, 1992.
-|  style="vertical-align: top;"|Buschart R., Kuczka J. Electrical safety in hazardous (classified) class I locations. Record of Conference Papers Industry Applications Society 39th Annual Petroleum and Chemical Industry Conference, 1:293-299, 1992.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[3]
+|  style="vertical-align: top;"|[3] Mlinac T., Malaric K., Milas T. Energy limitation as method of electrical apparatus explosion protection. 17th International Conference on Applied Electromagnetics and Communications, 1:45-48, 2003.
-|  style="vertical-align: top;"|Mlinac T., Malaric K., Milas T. Energy limitation as method of electrical apparatus explosion protection. 17th International Conference on Applied Electromagnetics and Communications, 1:45-48, 2003.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[4]
+|  style="vertical-align: top;"|[4] BBC. Beirut explosion: How ship's deadly cargo ended up at port. BBC News [En línea]. Available: [https://www.bbc.com/news/world-middle-east-53683082. https://www.bbc.com/news/world-middle-east-53683082.] [Último acceso: 8 ago 2020].
-|  style="vertical-align: top;"|BBC. Beirut explosion: How ship's deadly cargo ended up at port. BBC News [En línea]. Available: [https://www.bbc.com/news/world-middle-east-53683082. https://www.bbc.com/news/world-middle-east-53683082.] [Último acceso: 8 ago 2020].
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[5]
+|  style="vertical-align: top;"|[5] Cárdenas D. Modelado de fuentes generadoras de incendios eléctricos por termoconducción. Vol. 1, Universitat Politècnica de Catalunya, Barcelonatech, Barcelona, 2011.
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. Modelado de fuentes generadoras de incendios eléctricos por termoconducción. Vol. 1, Universitat Politècnica de Catalunya, Barcelonatech, Barcelona, 2011.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[6]
+|  style="vertical-align: top;"|[6] Cárdenas D. Propuesta de un modelo matemático para calcular el calentamiento de conductores eléctricos. Tecnociencia, 12(2):71-88, 2010.
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. Propuesta de un modelo matemático para calcular el calentamiento de conductores eléctricos. Tecnociencia, 12(2):71-88, 2010.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[7]
+|  style="vertical-align: top;"|[7] Leba M., Pop E., Sochirca B., Vanvu P. Modeling, simulation and design of the intrinsic protection using safety barriers. Proceeding of the 8th WSEAS International Conference on Circuits, Systems, Electronics, Control and Signal Processing (CSECS’09), 1:162-167, 2009.
-|  style="vertical-align: top;"|Leba M., Pop E., Sochirca B., Vanvu P. Modeling, simulation and design of the intrinsic protection using safety barriers. Proceeding of the 8th WSEAS International Conference on Circuits, Systems, Electronics, Control and Signal Processing (CSECS’09), 1:162-167, 2009.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[8]
+|  style="vertical-align: top;"|[8] Păsculescu V.M., Vlasin N.I., Șuvar M.C., Lupu C. Decision support system for managin electrical equipment used in hazardous locations. Environmental Engineering and Management Journal, 16(6):1323-1330, 2017.
-|  style="vertical-align: top;"|Păsculescu V.M., Vlasin N.I., Șuvar M.C., Lupu C. Decision support system for managin electrical equipment used in hazardous locations. Environmental Engineering and Management Journal, 16(6):1323-1330, 2017.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[9]
+|  style="vertical-align: top;"|[9] NFPA. National Electrical Code - NFPA 70, Ed. 2020, NFPA, Massachusetts, 2020.
-|  style="vertical-align: top;"|NFPA. National Electrical Code - NFPA 70, Ed. 2020, NFPA, Massachusetts, 2020.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[10] IEC. IEC 60079:2018 SER - Explosive Atmosphere Standards, IEC, Ginebra, 2018.

@@ Line 957: / Line 957: @@
 |  style="vertical-align: top;"|NFPA. National Electrical Code - NFPA 70, Ed. 2020, NFPA, Massachusetts, 2020.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[10]
+|  style="vertical-align: top;"|[10] IEC. IEC 60079:2018 SER - Explosive Atmosphere Standards, IEC, Ginebra, 2018.
-|  style="vertical-align: top;"| IEC. IEC 60079:2018 SER - Explosive Atmosphere Standards, IEC, Ginebra, 2018.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[11]
+|  style="vertical-align: top;"|[11] Cardenas D., Ezekoye O. Thermal Characterization of electrical wires and insulation operated in variable frequency mode. Fire Technology, 51:1071-1092, 2015.
-|  style="vertical-align: top;"| Cardenas D., Ezekoye O. Thermal Characterization of electrical wires and insulation operated in variable frequency mode. Fire Technology, 51:1071-1092, 2015.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[12]
+|  style="vertical-align: top;"|[12] Cárdenas D. True calculus of the warming in electrical wires in low voltage: A design correction. IEEE Latin America Transactions, 13(1):172-180, 2015.
-|  style="vertical-align: top;"| Cárdenas D. True calculus of the warming in electrical wires in low voltage: A design correction. IEEE Latin America Transactions, 13(1):172-180, 2015.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[13]
+|  style="vertical-align: top;"|[13] Cárdenas D. A “Thermal-conductive simplified model” for the actual temperature of overloaded cables. IEEE Latin America Transactions, 17(4):615-624, 2019.
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. A “Thermal-conductive simplified model” for the actual temperature of overloaded cables. IEEE Latin America Transactions, 17(4):615-624, 2019.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[14]
+|  style="vertical-align: top;"|[14] Cárdenas D. Algoritmo de modelo termoconductivo para el cálculo preciso de temperaturas en conductores eléctricos de potencia. Revista Internacional de Métodos Numéricos para Cálculo y Diseño en Ingeniería, 36, 10, 2020.
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. Algoritmo de modelo termoconductivo para el cálculo preciso de temperaturas en conductores eléctricos de potencia. Revista Internacional de Métodos Numéricos para Cálculo y Diseño en Ingeniería, 36, 10, 2020.
 |-
-|  style="vertical-align: top;"|[15]
+|  style="vertical-align: top;"|[15] NFPA. Recommended practice for the classification of flammable liquids, gases, or vapors and of hazardous (classified) locations for electrical installations in chemical process areas - NFPA 497, Ed 2021, NFPA, Massachusetts, 2021.
-|  style="vertical-align: top;"|NFPA. Recommended practice for the classification of flammable liquids, gases, or vapors and of hazardous (classified) locations for electrical installations in chemical process areas - NFPA 497, Ed 2021, NFPA, Massachusetts, 2021.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[16]

@@ Line 926: / Line 926: @@
 ==Referencias==
 {| style="width: 100%;"
@@ Line 984: / Line 985: @@
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[19]
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D., Gracia S., Fernández F., Dzul L. El Recalentamiento Eléctrico por Termoconducción. Una perspectiva fisicoquímica del calentamiento eléctrico. Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquía'', ''64:57-67, 2012.
+|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D., Gracia S., Fernández F., Dzul L. El Recalentamiento eléctrico por termoconducción. Una perspectiva fisicoquímica del calentamiento eléctrico. Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquía, 64:57-67, 2012.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[20]
-|  style="vertical-align: top;"|Incropera F., Dewitt D., Bergman T., Lavine A. Fundamentals of Heat and Mass Transfer, John Wiley & Sons, United States of America, 2007.
+|  style="vertical-align: top;"|Incropera F., Dewitt D., Bergman T., Lavine A. Fundamentals of heat and mass transfer. John Wiley & Sons, United States of America, 2007.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[21]
-|  style="vertical-align: top;"|Balaji C., Venkateshan P. Combined conduction, convection and radiation in a slot. International Journal of Heat and Fluid Flow,'' ''16-2:139-144, 1995.
+|  style="vertical-align: top;"|Balaji C., Venkateshan P. Combined conduction, convection and radiation in a slot. International Journal of Heat and Fluid Flow, 16(2):139-144, 1995.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[22]
@@ Line 996: / Line 997: @@
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[23]
-|  style="vertical-align: top;"|Sedra A., Smith K. C. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET). Circuitos Microelectrónicos, Ed. 5, McGraw-Hill, México, 2006.
+|  style="vertical-align: top;"|Sedra A., Smith K.C. Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET). Circuitos Microelectrónicos, Ed. 5, McGraw-Hill, México, 2006.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[24]
-|  style="vertical-align: top;"|López J. E., Valls G. C., Marí J. M. Amplificadores de señal con transistores bipolares. Fundamentos de electrónica analógica, Ed. 1, Universidad de Valencia, Valencia, 2006.
+|  style="vertical-align: top;"|López J.E., Valls G.C., Marí J.M. Amplificadores de señal con transistores bipolares. Fundamentos de electrónica analógica. Ed. 1, Universidad de Valencia, Valencia, 2006.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[25]
-|  style="vertical-align: top;"|Lee C. W., Afzalian A., Borne A., Dehdashti Akthavan N., Yan R., Ferain I., Colinge J. P. High-Temperature Performance of Silicon Junctionless MOSFETs. IEEE Trans. Electron Devices,'' ''57-3:620-264, 2010.
+|  style="vertical-align: top;"|Lee C.W., Afzalian A., Borne A., Dehdashti Akthavan N., Yan R., Ferain I., Colinge J.P. High-temperature performance of silicon junctionless MOSFETs. IEEE Trans. Electron Devices, 57(3):620-264, 2010.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[26]
-|  style="vertical-align: top;"|Singh K., Nirmal A. Temperature Variations Effects in BJT Amplifier Circuits at Radio Frequencies. Journal of Engineering And Technology Research, 5-3:1-7, 2017.
+|  style="vertical-align: top;"|Singh K., Nirmal A. Temperature variations effects in BJT amplifier circuits at radio frequencies. Journal of Engineering And Technology Research, 5(3):1-7, 2017.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[27]
@@ Line 1,014: / Line 1,015: @@
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[29]
-|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. “Phantom Impedances” as an Option to Solve 3D Symmetrical Circuit Arrangements. IEEE Latin America Transactions, 16-1:155-162, 2018.
+|  style="vertical-align: top;"|Cárdenas D. “Phantom Impedances” as an option to solve 3D symmetrical circuit arrangements. IEEE Latin America Transactions, 16(1):155-162, 2018.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[30]
@@ Line 1,026: / Line 1,027: @@
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[33]
-|  style="vertical-align: top;"|Rinaldi N., D´Alessandro V. Theory of Electrothermal Behavior of BipolarTransistors: Part III—Impact Ionization. IEEE Transactions on Electron Devices, 53-7:1683-1697, 2006.
+|  style="vertical-align: top;"|Rinaldi N., D´Alessandro V. Theory of electrothermal behavior of bipolar transistors: Part III— Impact ionization. IEEE Transactions on Electron Devices, 53(7):1683-1697, 2006.
 |-
 |  style="vertical-align: top;"|[34]
-|  style="vertical-align: top;"|Trojman L. Study of Mobility for HfO2 dielectric FDSOI-UTTB pMOS under substrate biases. IEEE Latin America Transactions, 14-10:4235-4240, 2016.
+|  style="vertical-align: top;"|Trojman L. Study of mobility for HfO2 dielectric FDSOI-UTTB pMOS under substrate biases. IEEE Latin America Transactions, 14(10):4235-4240, 2016.
 |}