https://www.scipedia.com/wd/index.php?action=history&feed=atom&title=CASTRO-PENAHERRERA_SERRA_2018aCASTRO-PENAHERRERA SERRA 2018a - Revision history2026-04-30T17:29:39ZRevision history for this page on the wikiMediaWiki 1.27.0-wmf.10https://www.scipedia.com/wd/index.php?title=CASTRO-PENAHERRERA_SERRA_2018a&diff=159845&oldid=prevScipediacontent: Scipediacontent moved page Draft Content 953766514 to CASTRO-PENAHERRERA SERRA 2018a2020-04-24T11:55:03Z<p>Scipediacontent moved page <a href="/public/Draft_Content_953766514" class="mw-redirect" title="Draft Content 953766514">Draft Content 953766514</a> to <a href="/public/CASTRO-PENAHERRERA_SERRA_2018a" title="CASTRO-PENAHERRERA SERRA 2018a">CASTRO-PENAHERRERA SERRA 2018a</a></p>
<table class="diff diff-contentalign-left" data-mw="interface">
<tr style='vertical-align: top;' lang='en'>
<td colspan='1' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">← Older revision</td>
<td colspan='1' style="background-color: white; color:black; text-align: center;">Revision as of 11:55, 24 April 2020</td>
</tr><tr><td colspan='2' style='text-align: center;' lang='en'><div class="mw-diff-empty">(No difference)</div>
</td></tr></table>Scipediacontenthttps://www.scipedia.com/wd/index.php?title=CASTRO-PENAHERRERA_SERRA_2018a&diff=159844&oldid=prevScipediacontent: Created page with " == Resumen == En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente..."2020-04-24T11:55:00Z<p>Created page with " == Resumen == En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente..."</p>
<p><b>New page</b></p><div><br />
== Resumen ==<br />
<br />
En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito.<br />
<br />
== Texto completo ==<br />
<pdf>Media:Draft_Content_953766514-231-8486-document.pdf</pdf></div>Scipediacontent